Micron Technology oficjalnie zainaugurował budowę swojego najnowszego zakładu montażowego w Singapurze, który będzie dedykowany pamięciom o wysokiej przepustowości (HBM). Ta ogromna inwestycja, wynosząca aż 7 miliardów dolarów, jest odpowiedzią na gwałtownie rosnące zapotrzebowanie na nowoczesne kości HBM3E, HBM4 oraz HBM4E, wynikające z dynamicznego rozwoju sztucznej inteligencji.

Nowa fabryka stworzy do 3000 nowych miejsc pracy

Nowy zakład produkcyjny będzie zlokalizowany w pobliżu istniejących już w Singapurze fabryk Microna, które odpowiadają za produkcję pamięci NAND oraz DRAM. Rozpoczęcie produkcji w nowym obiekcie planowane jest na 2026 rok, a firma zamierza znacznie zwiększyć moce przerobowe już w 2027 roku.

W procesach produkcyjnych Micron planuje wdrożyć "zaawansowane rozwiązania z obszaru automatyzacji napędzanej AI", co ma na celu znaczną poprawę efektywności operacyjnej. Choć szczegóły dotyczące implementacji sztucznej inteligencji nie zostały jeszcze ujawnione, to wiadomo, że innowacyjne technologie mają szansę zrewolucjonizować produkcję w branży półprzewodników.

Mimo że Micron przoduje w produkcji pamięci HBM3E pod względem jakości i wydajności, nadal pozostaje w tyle za swoimi koreańskimi rywalami – Samsungiem i SK hynix – jeśli chodzi o ogólny udział w rynku HBM. Kluczowym wyzwaniem jest wciąż niedobór wyspecjalizowanych zakładów, w czym nowa fabryka ma pomóc.

Dodatkowo, Micron nie przestaje zwiększać produkcji HBM3E w istniejących fabrykach, planując osiągnięcie około 20–25% udziału w globalnym rynku HBM do połowy 2025 roku. Warto zaznaczyć, że konkurencja również nie śpi i ciągle rozwija swoje możliwości produkcyjne.

W kontekście rosnącego znaczenia technologii AI, Micron staje przed szansą znaczącego umocnienia swojej pozycji na rynku półprzewodników. Czy firma zdoła wyprzedzić konkurencję i zdobyć przewagę w tym kluczowym segmencie? To pytanie, na które odpowiedź poznamy w nadchodzących latach!