MRAM技術の進展とその利点

東京大学の研究チームが2025年5月に発表した最新の研究によれば、強磁性体における自発分極の変化が、MRAM（磁気抵抗メモリ）の省電力性能に大きく貢献する可能性があることがわかりました。MRAMは従来のメモリ技術に比べ、エネルギー効率が高いことで注目されています。

MRAMの持つ省電力特性

MRAMは非揮発性メモリの一種であり、動作速度が非常に速いという特性を持っています。また、電力消費を抑えつつ、高速なデータアクセスを実現することが期待されています。特に、電圧を変化させることで自発分極を制御できる「電圧制御磁気抵抗効果（VCMA）」により、さらなる省電力化が進むとされています。

最新の研究成果とその重要性

今回の研究では、アルミニウム含有物質（AlScN）とコバルト鉄ボロン（CoFeB）との組み合わせに注目。これらの材料の組み合わせが、MRAMの性能を引き上げる鍵となると考えられています。具体的には、外部からの電流や電圧を変化させることで、MRAMの自発磁化を効果的に調整できることが確認されたのです。

今後の技術への展望

研究チームは、さらに高度な材料の探索や、最適な組み合わせの研究を進めることで、MRAM技術がさらなる革新をもたらすことを期待しています。当面は、エネルギー効率の向上を目指し、実際のデバイスへの応用を見据えた開発が進められるでしょう。省電力化はもちろんのこと、今後の情報技術の進展においても、MRAMは重要な役割を果たすことになると予想されています。